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【2h】

Electron-doping versus hole-doping in the 2D t-t' Hubbard model

机译:2D t-t'Hubbard模型中的电子掺杂与空穴掺杂

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摘要

We compare the one-loop renormalization group flow to strong coupling of theelectronic interactions in the two-dimensional t-t'-Hubbard model with t'=-0.3tfor band fillings smaller and larger than half-filling. Using a numericalN-patch scheme (N=32...96) we show that in the electron-doped case withdecreasing electron density there is a rapid transition from a d(x^2-y^2)-wavesuperconducting regime with small characteristic energy scale to an approximatenesting regime with strong antiferromagnetic tendencies and higher energyscales. This contrasts with the hole-doped side discussed recently whichexhibits a broad parameter region where the renormalization group flow suggestsa truncation of the Fermi surface at the saddle points. We compare thequasiparticle scattering rates obtained from the renormalization groupcalculation which further emphasize the differences between the two cases.
机译:我们将一圈重新归一化群流与二维t-t'-Hubbard模型中电子相互作用的强耦合进行比较,其中t'=-0.3t表示带填充小于和大于半填充。使用数值N补片方案(N = 32 ... 96),我们表明,在电子密度降低的电子掺杂情况下,从ad(x ^ 2-y ^ 2)波超导态有快速跃迁,特征能很小可将其缩放至具有强反铁磁趋势和较高能量级的近似状态。这与最近讨论的掺杂空穴的一侧形成对比,后者显示了较宽的参数区域,在该区域中,重归一化基团流动表明费米表面在鞍点处被截断。我们比较了从重归一化组计算获得的准粒子散射率,这进一步强调了两种情况之间的差异。

著录项

  • 作者

    Honerkamp, Carsten;

  • 作者单位
  • 年度 2001
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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